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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SPP18P06P H 

产品描述

MOSFET SIPMOS Power Transistor

内部编号

173-SPP18P06P-H

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:684
1+¥6.9061
10+¥5.9214
100+¥4.5471
500+¥4.0206
1000+¥3.1727
2500+¥2.8103
10000+¥2.7009
25000+¥2.5368
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:360
50+¥7.197
最小起订量:50
英国伦敦
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#3

数量:550
5+¥7.353
50+¥6.8305
100+¥6.4695
250+¥6.403
500+¥6.3365
最小起订量:5
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SPP18P06P H产品详细规格

规格书 SPP18P06P H datasheet 规格书
SPP18P06P G
SPP18P06P H datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 18.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 130 mOhm @ 13.2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 28nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 860pF @ 25V
功率 - 最大 81.1W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 PG-TO220-3
包装材料 Tube

SPP18P06P H系列产品

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